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Industry Timeline · Monthly · 2025-10

반도체.

phase · correctionsentiment · bullcycle · 0.48 (split_cycle_correction_late)consensus · consensus리포트 18건 · 출처 10
분기 3 · 월간 16 · 주간 75
반도체 · 월별 cycle position score (16개월)
0.83 0.33 vs baseline· 첫 시점 대비 +137.1%
분기
baseline 0.500.000.250.500.751.0025-01 0.350.8326-04
2026-042026-032026-022026-012025-122025-112025-102025-092025-082025-072025-062025-052025-042025-032025-022025-01
01

Executive Summary

2025-10 반도체 종합 narrative + cumulative.
2025년 10월 반도체는 split cycle correction 후기(score 0.48).
2025년 10월 반도체는 split cycle correction 후기(score 0.48). 삼성전자 3Q25 OP 12.1조원(컨센 20% 상회)·SK하이닉스 역사적 신고가·DRAM 현물 급등(DDR5 +20.4%)으로 메모리 전체 업황이 correction 탈출 신호를 보이는 가운데, TrendForce가 4Q25 메모리 계약가 전망을 대폭 상향(Server DRAM +15~20%, HBM +23~28% QoQ). OpenAI 월 900K DRAM 웨이퍼 수요 언급·빅테크 Capex +58% YoY가 수요 가시성을 극대화. 공급사 DRAM 재고 4~5주(정상 이하)로 하이퍼스케일러 2배 주문·LTA 경쟁 심화. 다만 CY26 HBM 생산능력 44억GB vs 수요 41.1억GB로 중기 과잉 리스크 상존, 삼성 파운드리/LSI 적자 FY25 -5.8조 지속이 overall correction 탈출 제약. 전공정 장비(유진테크·원익IPS·테스) Capex 사이클 본격화, 소재(한솔케미칼) 확산 진입.
누적 흐름
8월 삼성 파운드리 Tesla·Apple 수주 + 관세 면제 방향으로 심리 개선되었으나 HBM 과잉 정량 확인으로 correction 탈출 미달 이후, 10월 삼성 3Q25 컨센 20% 상회·DDR5 현물 +20% 급등·TrendForce 4Q 대폭 상향·OpenAI 900K 수요로 correction 후기 탈출 임박 — 파운드리 적자 지속·CY26 HBM 과잉으로 early_recovery 전환 미확인
8월 삼성 파운드리 Tesla·Apple 수주 + 관세 면제 방향으로 심리 개선되었으나 HBM 과잉 정량 확인으로 correction 탈출 미달 이후, 10월 삼성 3Q25 컨센 20% 상회·DDR5 현물 +20% 급등·TrendForce 4Q 대폭 상향·OpenAI 900K 수요로 correction 후기 탈출 임박 — 파운드리 적자 지속·CY26 HBM 과잉으로 early_recovery 전환 미확인
02

산업 상태

Demand / Supply / Price / Inventory + Tech transitions.
Demand
AI 서버 수요 +29% YoY 초과 성장, 하이퍼스케일러 서버 DRAM 주문 평소 2배 수준 요구. OpenAI 월 900K DRAM 웨이퍼 수요 제시. 반면 스마트폰 FY26 출하 0.0%, PC +1.1%로 비서버 최종수요 정체. Token 처리량 기반 HBM 소요 비선형 증가 구조.
Supply
DRAM 공급사 재고 4~5주(정상 6주 하회), HBM 전환에 따른 Net die 패널티로 실질 범용 DRAM CAPA 증가 0.4%에 불과. 업계 Capital Intensity 29%로 과거 호황기 30% 중반 대비 억제. CXMT 2026년 290K WPM 확대가 유일한 구조적 공급 변수.
Price Cycle
DDR5 16Gb 현물 $11.867(10/23), 2주간 +20.4% 급등. TrendForce 4Q25 계약가 대폭 상향: Server DRAM +15~20%, PC +18~23%, Mobile LPD5 +20~25%, HBM Blended +23~28% QoQ. DDR4 고정가 전월 +6%. 2026년 매분기 가격 상승 지속 전망.
Inventory
DRAM 공급사 재고 1Q23 21주→3Q25 4~5주로 급감, 고객 재고도 2Q25 이후 빠르게 감소. 클라우드 업체 선수금 지급·LTA 옵션 제시하며 구매 경쟁 심화. NAND 재고 8주로 DRAM 대비 여유이나 HDD 공급부족(리드타임 52주)으로 QLC SSD 전환 가속.
Tech Transitions
1c DRAM 전환 시 EUV 적용 레이어 6~7개(전세대 2배). HBM4 I/O 스펙 8/9→10/11Gbps 상향(Nvidia 요청)으로 양품 다이 비율 감소→수급 추가 타이트화. SO-CAMM2 신규 TAM 270억Gb(2026 Vera CPU). HBM 커스텀화 진행(SK하이닉스-Nvidia/MS/Broadcom). NAND HBF 2026H2 샘플 예정.
Key Events
["삼성전자 3Q25 잠정실적: 매출 86조·OP 12.1조원(컨센서스 대비 +20% 상회, DS부문 7.0조)", "OpenAI 샘 올트만 방한: 월 900K DRAM 웨이퍼 수요 제시, 삼성전자·SK하이닉스와 고부가 DRAM LOI 체결", "TrendForce 4Q25 메모리 계약가 전망 대폭 상향(Server +15~20%, PC +18~23%, HBM +23~28% QoQ)", "TSMC 3Q25 매출 9,899억TWD(가이던스 상단 초과, YoY +30%, 3nm·5nm 가동률 최고)", "Nvidia HBM4 I/O 스펙 상향(8/9→10/11Gbps) — 동일 물량 확보에 필요한 웨이퍼 투입 증가→수급 추가 타이트화", "중국 희토류 수출 제한 강화 vs 미국 100% 관세·소프트웨어 수출 통제 상호 에스컬레이션", "SK하이닉스·삼성전자 역사적 신고가 경신(각각 3개월 +89.2%, +49.7%), 반도체 소부장 확산"]
03

Dominant Signals

주요 시그널 10건 · signal_type별 색상 + impact tier 매핑.
투자 전환강도 · · 긍정
빅테크 AI Capex 사상최대 규모 확대 — 절대 투자액 증가 확인
HBMLegacy_DRAMSemicap
시간 지평
단기2025년 빅테크 4사 합산 Capex +58% YoY(연초 +21%에서 상향), CSP 설비투자 $3,570억(+56%), OpenAI $1,000억 투자·10GW DC 계획
중기2026년 CSP Capex +18~20% 추가 증가 전망, Neo-cloud(CoreWeave 등 GPUaaS) 2024~2030 CAGR 26% 신규 모멘텀
장기Edge AI 확산 시 Consumer IT Capex 전환 가능(2027년~)
1등급명시· 긍정
scale-up 형태 — 레거시→AI 전환이 아닌 절대 투자 규모 증액 확인. OpenAI 월 900K DRAM 웨이퍼 수요는 삼성·SK 합산 CAPA의 80%에 해당. HBM + 서버 DRAM 직접 수요 급증
2등급명시· 긍정
Capex 집행 → 전공정 장비 수주 확대. Lam Research: AI DC 투자 $1,000억당 WFE 지출 $80억 증가 언급
가격 변곡강도 · · 긍정
메모리 가격 전 제품군 급등세 확인 — 4Q25 계약가 대폭 상향
Legacy_DRAMHBMNAND
시간 지평
단기DDR5 16Gb 현물 $11.867(10/23, 2주간 +20.4%). TrendForce 4Q25: Server +15~20%, PC +18~23%, HBM +23~28% QoQ
중기2026년 매분기 DRAM 가격 상승 지속 전망(TrendForce). DRAM ASP 2026년 전년대비 +16~24%
장기
1등급명시· 긍정
DRAM ASP 3Q25 전분기 +13%, 4Q25 추가 가속. FY26 DRAM OPM 56~72% 범위 추정(하나 62%, IBK 72%)
1등급명시· 긍정
DRAM 가격 급등으로 메모리 3Q25 OP 7.0~7.5조 달성, FY26 DRAM OPM 44~64% 추정(증권사 편차 큼)
재고 사이클강도 · · 긍정
공급사·고객 재고 역대 최저 + 하이퍼스케일러 선제 구매 경쟁 심화
Legacy_DRAMNANDHBM
시간 지평
단기DRAM 공급사 재고 4~5주(정상 6주 하회), 고객 재고 2Q25 이후 빠르게 감소. 클라우드 업체 선수금·LTA 옵션 제시
중기2026년 초 재고 약 3주 수준 전망(유안타) — 공급사 Bit 생산 증가 여력 극히 제한
장기
1등급명시· 긍정
재고 부족으로 가격 교섭력 극대화 + 물량 확보 경쟁 심화가 계약가 상승폭 확대 견인
수요 변곡강도 · · 혼조
스마트폰/PC 최종수요 정체 vs AI 서버 초과 수요 — 수요 양극화
Legacy_DRAMNAND
시간 지평
단기AI 서버 출하 +29% YoY 초과 성장, 대당 DRAM 탑재량 +21% YoY. 반면 핸드셋 FY26 출하 0.0%, PC +1.1%(pull-in 소진)
중기Edge AI 확산 전까지 비서버 수요 구조적 약세 지속. PC 내 DRAM 비용비중 7%(역사 평균 4%)로 가격 저항 가능
장기2027년 Edge AI·Consumer AI 기기 확산 시 비서버 수요 전환 가능
1등급명시· 혼조
범용 DRAM 비중 높아 비서버 노출 크나, 서버 DRAM 가격 급등이 전체 블렌디드 ASP 상승으로 상쇄 중
공급 과잉강도 · · 부정
CXMT Legacy DRAM 공급 확대 — 글로벌 공급 압력 잠재 리스크
Legacy_DRAM
시간 지평
단기CXMT 2025년 Capa 월 30만장 도달, DDR5 수율 개선 중. 서버 DRAM 시장 진입 시도
중기2026F 290K WPM 수준 + IPO 추진(중신증권 주관)으로 투자 가속 가능. 서버 DRAM 점유율 7~10% 목표
장기HBM3E 도전 시 고부가 시장 경쟁 심화 가능, 단 고객 품질 승인 장벽 높음
1등급명시· 부정
범용 DRAM 시장 점유율 경쟁 심화 가능. 삼성 P4 Ph2·3 조기 증설 시 공급 확대 충돌 리스크
2등급추론· 부정
범용 DRAM 노출 부분에서 중장기 가격 압박 가능. 단 HBM 중심 포트폴리오로 영향 제한적
공급 과잉강도 · · 혼조
HBM 단기 수급 타이트 vs 중기 공급과잉 리스크
HBMOSAT_Packaging
시간 지평
단기4Q25 HBM3E 12Hi 가격 인하 없음·HBM4 I/O 스펙 상향(10/11Gbps)으로 양품 감소→수급 타이트 유지
중기CY26 3사 합산 생산능력 44억GB vs 수요 41.1억GB — HBM3E 12단 ASP CY25 대비 30% 중후반 하락 전망
장기HBM4 전환 속도와 ASIC 고객 다변화(Google TPU 비중 9.5→19%)가 관건
1등급명시· 혼조
HBM 독점적 1st vendor 유지(NVIDIA 내 CY25 68%)하나 CY26 55→46% 하락. FY26 HBM OPM 60%대 중반→40%대 중후반 축소(iM). HBM4 선제 공급으로 방어
2등급추론· 긍정
HBM4 인증 성공 시 CY26 점유율 28→30% 확대 가능. 1C DRAM + 4nm Logic Die 조합으로 성능상 경쟁 우위 주장(iM)
실적 확인강도 · · 긍정
삼성전자 3Q25·TSMC 3Q25 컨센서스 상회 — 2026년 실적 대폭 상향
Legacy_DRAMHBMFoundry
시간 지평
단기삼성 3Q25 OP 12.1조(컨센 ~10조 대비 +20% 상회), DS부문 7.0조. TSMC 3Q25 매출 가이던스 상단 초과(YoY +30%)
중기삼성 FY26 OP 상향: 하나 68.7조, DB 64.1조, IBK 86.6조, 유안타 64.4조. SK하이닉스 FY26 OP 55~72조 범위
장기
1등급명시· 긍정
메모리 3Q25 OP 7.0~7.5조로 회복 확인. 4Q24 OP 6.5조(컨센 8.6조 하회) 저점 대비 뚜렷한 반등. 단, 파운드리/LSI FY25 영업손실 -5.8조 지속(하나), FY26 흑자전환 여부 불확실 — 삼성 전체 수익성 발목 요인
1등급명시· 긍정
3Q25 OP 11.6~12.0조 사상 최대 전망. FY26 OP 55~72조 대폭 상향. 메모리 업황 상승기 주가 아웃퍼폼 구조
센티 로테이션강도 · · 긍정
반도체 섹터 역사적 신고가 경신 + 전기전자 순환매 확산
HBMLegacy_DRAMSemicap
시간 지평
단기삼성전자 +49.7% 3개월·SK하이닉스 +89.2% 3개월 역사적 신고가. PCB 업종(이수페타시스·심텍) 신고가 행진
중기2026년 연간 컨센서스 큰 폭 상향 진행 중, 반도체→전기전자(LG이노텍·삼성전기) 순환매 확산 예상
장기
1등급명시· 긍정
시총 371~400조원 시대 도래 기대(하나). PBR 3.3배, 목표가 480~700K 범위로 상향 경쟁
2등급명시· 긍정
PBR 1.6배(10년 평균 1.4배 상회). 목표가 106~140K 범위. HBM4 인증·파운드리 턴어라운드가 추가 리레이팅 촉매
정책·지정학강도 · · 혼조
미중 관세·희토류·수출규제 상호 에스컬레이션
SemicapFoundryLegacy_DRAM
시간 지평
단기중국 희토류 수출 제한 강화 ↔ 미국 100% 관세·소프트웨어 수출 통제 언급 → 나스닥·SOX 급락(10/10)
중기Affiliates Rule 강화 시 글로벌 WFE 업체 대중 매출 축소 → 중국 국산화 가속(빅펀드 3기 3,440억 위안 2026 집행)
장기중국 로컬 장비사(Naura·AMEC) 매출 CAGR 25%+, 글로벌 점유율 확대 추세 지속
1등급명시· 부정
반도체 관세 20% 부과 시 매출 약 2~3% 하락 추정(iM). IT 수요 둔화 2차 효과 감안 시 충격 3%+ 가능
2등급명시· 긍정
미국 대중 제재로 북미 고객사 신규 확보 기회. PR Strip 점유율 38→41% 확대(한국투자)
수요 변곡강도 · · 혼조
10월 메모리 수출 급증 vs 비서버 내수 부진 — 표면 지표와 본질 수요의 괴리
Legacy_DRAMNAND
시간 지평
단기10월 20일까지 DRAM 수출 +104% YoY, 메모리 전체 +69% YoY(영업일 평균 5.2억달러)로 단기 실물지표 방어
중기스마트폰/PC 재고 조정 지속 시 수출 호조 지속성 확인 필요. 관세 대비 pull-in 소진 후 1H26 일시 모멘텀 약화 가능
장기
1등급명시· 긍정
수출 기반 메모리 매출 성장 가시화. 10월 수출 호조가 4Q25 실적 상향 근거 강화
04

Emerging · Fading

새롭게 부상하는 시그널 vs 약해지는 우려.
▲ Emerging (4)
SO-CAMM2 신규 TAM 개화 — HBM 맞먹는 서버 DRAM 신시장
기술 전환
2026년 Vera CPU(Rubin 플랫폼) 탑재 SO-CAMM2 DRAM TAM 270억Gb, 현 HBM TAM(320~330억Gb)에 맞먹는 규모. Grace CPU 초기 마이크론 독점에서 삼성·SK 조기 참전으로 한국 수혜 확대
  • 삼성·SK 각 100억Gb, 마이크론 70억Gb 배분 확정 여부
  • SO-CAMM2 모듈 스펙 최종 확정 시점
  • Vera CPU 양산 일정(2026년 예정)
삼성전자 HBM4 인증 결과 — 1Q26 최대 변수
실적 확인
1Q26 초 최종 HBM4 인증 결과 예정. 성공 시 P/B 1.5→2.0배 리레이팅(iM 시나리오), 실패 시 1c DRAM을 범용으로 전환해야 하며 수급 악화·이익 환경 부담
  • HBM4 로직 다이 수율 90%+ 달성 유지 여부(대신)
  • 엔비디아 최종 품질 테스트 통과(대신)
  • 발열 문제 재발 여부(iM)
NAND 구조적 개선 — HDD 공급부족발 QLC SSD 전환 가속
수요 변곡
HDD 리드타임 52주, 150~200EB 부족(하나). QLC SSD 전환 가속으로 2026년 NAND 수요 +18%(엔터프라이즈 +44%). Western Digital 가격 인상 확정. Sandisk HBF 2026H2 샘플 출시
  • 4Q25 NAND 계약가 +5~10% QoQ 실현 여부
  • eSSD 수요 확대 속도
  • 삼성 NAND OPM 흑자 전환 시점(2025F 3%→2026F 9~12%)
삼성 파운드리 턴어라운드 신호 — Tesla·Exynos 수주
실적 확인
Tesla 2nm 자율주행칩 장기 계약(23조 규모), Galaxy S26 Exynos 2600 전 모델 탑재 전망. 4~8nm 수주 증가. FY26 파운드리 흑자전환 가능성 제기(DB +1.7조)
  • 삼성 파운드리 가동률 추이(2025년 50%대)
  • 테슬라 2nm 양산 시작 시점
  • Exynos 2600 실적 기여 규모
▼ Fading (3)
AI 투자 과열/버블 우려
빅테크 4사 Capex +58% YoY 실집행 확인, OpenAI 월매출 10억달러 도달, CoreWeave FY2Q25 매출 YoY +207%로 AI 수익화 가시화. 투자 지속성에 대한 우려 약화
DDR4 생산 중단에 따른 공급 공백 우려
오히려 DDR4 EOL 가속으로 구조적 공급 부족 심화→가격 급등(현물 +66.7% 급등 사례). 우려에서 가격 모멘텀으로 전환
NAND 장기 불황 내러티브
HDD 공급부족(리드타임 52주)발 QLC SSD 전환 가속 + eSSD 수요 확대로 수급 개선. 2026년 NAND 수요 +18% 전망. 불황 내러티브에서 회복 내러티브로 전환 중
05

Macro Watch

산업 외부 리스크 · 거시 변수.
  • 글로벌 유동성 YoY 증감률: iM 기준 4Q25 상승 후 1H26 하락 전환 예상 → 반도체 주가 조정 가능성
  • 미중 관세·희토류 상호 에스컬레이션: 반도체 20% 관세 부과 시 매출 2~3% 영향 + IT 수요 둔화 2차 효과
  • 원달러 환율: 수출 채산성 개선 vs 수입 부품·장비 비용 증가 양면 효과
06

Winners

수혜 종목 2건
HBM 독점적 1st vendor 지위(NVIDIA 내 CY25 68% 점유) + 3Q25 OP 11.6~12.0조 사상 최대 + FY26 OP 55~72조 대폭 상향(증권사 10곳 컨센). 목표가 420~700K 범위 상향 경쟁. 단, CY26 HBM 점유율 55→46% 하락 + 범용 DRAM 노출 확대에 따른 사이클 변동 리스크 및 FY26 HBM 경쟁 심화에 따른 컨센서스 하향 리스크는 병존
· direct· conf high
HBM·선단공정(1c DRAM) 확대에 따른 테스트 소켓 수요 증가 수혜 추정. 메모리 업사이클 + 후공정 투자 확대 흐름에서 수혜 개연성 높으나 10월 리포트에 직접 종목 분석 없음
· indirect_high· conf medium
07

Losers

피해 종목 1건
파운드리/LSI FY25 영업손실 -5.8조 지속(하나) + HBM3E NVIDIA 내 점유율 CY25 0% + 비메모리 부문이 전사 수익성 구조적 발목. 메모리 3Q25 서프라이즈(OP 12.1조)에도 불구 파운드리 경쟁력 갭 미해소. 4Q24 OP 6.5조(컨센 8.6조 하회) 이후 메모리는 회복하였으나 파운드리/LSI 적자 구조 지속
· conf medium
08

Beneficiary Chain

시그널 → 종목 연쇄 단계.
1
AI 인프라 투자 확대 → HBM + 서버 DRAM 수요 폭증 → 메모리 직접 수혜
빅테크 Capex +58% YoY + OpenAI 900K 웨이퍼 수요 + 하이퍼스케일러 2배 주문 → DRAM·HBM 직접 수요 급증. SK하이닉스 FY26 OP 55~72조, 삼성 FY26 OP 56~87조 범위 상향
2
메모리 증설·1c DRAM 전환 투자 본격화 → 전공정 장비 수주 폭증
삼성 P4(HBM4)·SK하이닉스 M15X 증설 + 1c DRAM 전환 → LPCVD(유진테크)·CVD/ALD(원익IPS)·PECVD/Dry Clean(테스) 수주 급증. 유진테크 FY26 OP +52%(DB), 원익IPS FY26 OP +42~98%(키움/BNK), 테스 FY26 OP +41%(키움)
3
장비 가동·생산 확대 → 반도체 소재 출하 증가
삼성 파운드리 가동률 상승 + SK하이닉스 M15X 신규 가동 → 과산화수소·프리커서 출하 확대. FY26 매출 1.0조(첫 1조 돌파) + OP +34% YoY(키움 Top Pick). 이차전지 바인더 +30% YoY 추가 성장
09

Watchlist Candidates

추가 모니터링 후보.
HBM TC bonder 수요 — 3사 HBM Capa 확대 시 본더 수주 확대 기대
10월 리포트에 직접 종목 분석 없음. HBM 패키징 장비 수혜는 논리적이나 수주·실적 데이터 미공시
글로벌 Top 25 반도체 기업 전부 고객사 + NAND 하이브리드 본딩용 어닐링 인증 완료
한국투자 BUY/TP 42K 제시, OPM 53% 유지. 다만 차세대 공정 투자 기여 시점 대비 지연 가능성 존재하여 chain 편입 보류
SK하이닉스 M15X 발주 대기 + 삼성 P4 투자 수혜
2025F OP -33% YoY 역기저(M15X 발주 대기), 2026F +86% 회복 전망. 현재 실적 공백 구간으로 chain 편입 보류, 수주 공시 확인 후 재평가
레이저 장비 — HBM 후공정 + 1c DRAM 전환 시 수요 확대 가능
10월 리포트에 직접 종목 분석 없음. 후공정 레이저 공정 확대 시 수혜 가능하나 구체적 수주·실적 근거 부재
Descum·Reflow 장비 균형 성장 — 메모리 Capex 확대 수혜
하나 BUY/TP 50K 제시, FY25 OPM 39%·FY26 OPM 41%. 안정적 실적이나 chain 핵심 경로보다 보조적 위치. 피에스케이(319660)와 별개 회사
PR Strip 시장점유율 확대(38→41%) + 북미 신규 고객 확보
한국투자 BUY/TP 52K, BNK BUY/TP 44K. 미중 제재 반사이익 기대. 다만 메모리 capex 핵심 경로보다 niche 포지션
AI ASIC 시장 확대 수혜 — 테스트 소켓·프로브 카드
키움 BUY/TP 80K 제시하나 상세 분석 미포함. ASIC 시장 확대(2026 +69% YoY) 수혜 논리 있으나 구체적 실적 근거 제한적
NAND 고단화(9세대·10세대 V-NAND) 수혜 — SiC Ring 수요
키움 BUY/TP 220K(상향) 차선호주 제시. NAND 수급 개선 시 수혜이나 NAND 회복 속도 불확실성 존재
범용 메모리 업황 회복 직접 수혜 — 식각액·세정액 소재
키움 차선호주 제시(BUY/TP 350K 상향). 범용 메모리 가격 상승 시 가동률 증가→소재 출하 확대 구조. 다만 상세 실적 추정치 미포함으로 chain 보류
10

Source Reports

참조 리포트 18건
  • iM月刊 반도체 10월: 트레이딩 바이-CY26 HBM 둔화 But Legacy DRAM/NAND 양호2025-10-01
  • 대신더 높은 곳을 향해2025-10-10
  • 유안타중국 반도체 장비 구조적 성장 사이클의 전환점2025-10-13
  • 하나반도체 및 소부장 Weekly: 관세 리스크 부각 vs 삼성전자 잠정 실적2025-10-13
  • 유안타시장의 별을 찾아서2025-10-13
  • 대신Tech Weekly-상승의 피로감은 부담, 중국 이슈가 조정의 빌미로2025-10-13
  • DBIt ain't over till it's over2025-10-14
  • 하나메모리 천조국2025-10-15
  • 한국투자시작은 역시 장비빨2025-10-20
  • 하나반도체 및 소부장 Weekly: 호실적으로 스타트2025-10-20
  • 대신Tech Weekly-IT/전기전자로의 확산 기대2025-10-20
  • 유안타Resonance: 기술과 수요의 공명이 이끄는 메모리 반도체 산업의 구조적 상승 국면2025-10-22
  • 유진2026 연간전망 - Nothing Better2025-10-22
  • IBKAI는 메모리 먹는 하마2025-10-23
  • BNK공급자 우위 시장, 결국 증설이 답이다2025-10-23
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