DH Signals · Korean Equity Quality-Gate Daily
장마감 · 실시간 · 2026. 6. 7. 오후 12:51 KST
Industry Timeline · Monthly · 2025-09

반도체.

phase · correctionsentiment · bullcycle · 0.52 (split_cycle_correction_exit)consensus · consensus리포트 8건 · 출처 7
분기 3 · 월간 16 · 주간 75
분기 (Q)월간 (M)주간 (W)
반도체 · 월별 cycle position score (16개월)
0.83▲ 0.33 vs baseline· 첫 시점 대비 +137.1%
분기월주
baseline 0.500.000.250.500.751.0025-01 0.350.8326-04
2026-042026-032026-022026-012025-122025-112025-102025-092025-082025-072025-062025-052025-042025-032025-022025-01
01

Executive Summary

2025-09 반도체 종합 narrative + cumulative.
2025년 9월 반도체는 split cycle correction 후기(score 0.52).
2025년 9월 반도체는 split cycle correction 후기(score 0.52). TrendForce 4Q25 DRAM 가격 전방위 상향(PC +3~8%, 서버 +5~10%, LPDDR4X +15~20%)과 SK하이닉스 DRAM 점유율 38.7% 역대 최고가 레거시 업사이클 진입 신호. 삼성전자 3Q25 OP 9.9~10.0조 컨센 상회 + HBM3E 12단 승인 기대로 9월 +18.5% 급등하며 차별화 축소. 흥국증권 '슈퍼사이클 진입' 제시, 메리츠 '부족함의 파급효과'로 후공정 외주화·레거시 업사이클 이중 구조 분석. 반면 VEU 박탈 120일 유예(시안·우시 Capa 30%)·관세 협상 지연·NAND 공급과잉이 하방 리스크. 10월은 3Q25 실적 확인과 밸류에이션 부담(9월 +18~29% 급등) 간 선택과 집중 국면.
누적 흐름
8월 삼성 파운드리 Tesla·Apple 수주 + 관세 면제 방향으로 심리 개선 이후, 9월 TrendForce 4Q DRAM 전방위 상향 + SK하이닉스 점유율 역대 최고 + 삼성 HBM3E 승인 기대 + 주가 +18~29% 급등으로 correction 탈출 임박 — VEU 박탈·밸류에이션 부담으로 최종 확인 필요
8월 삼성 파운드리 Tesla·Apple 수주 + 관세 면제 방향으로 심리 개선 이후, 9월 TrendForce 4Q DRAM 전방위 상향 + SK하이닉스 점유율 역대 최고 + 삼성 HBM3E 승인 기대 + 주가 +18~29% 급등으로 correction 탈출 임박 — VEU 박탈·밸류에이션 부담으로 최종 확인 필요
02

산업 상태

Demand / Supply / Price / Inventory + Tech transitions.
Demand
AI 인프라 Capex $3,198억(빅테크 4사)이 HBM·DDR5·eSSD 고부가 수요 견인. 2026E 일반서버 +9% YoY + HDD→eSSD 전환으로 레거시 수요 전환 가시화. 비AI(PC·모바일AP)는 4Q25 비수기 진입으로 온도차 확대
Supply
SK하이닉스 M15X 50K+M16 확장, 삼성 1cnm 100K+ 구축 예정이나 가동률 peak 대비 70~80%로 공급 억제 지속. CXMT DDR5 수율 이슈로 고객 주문 축소. TSMC CoWoS 2026년 1,050K(+59%) 확대 예정
Price Cycle
DDR4 고정가 $1.90→$4.50(4→7월 +137%), 9월에도 강세 지속. TrendForce 4Q25 전방위 상향: PC +3~8%, 서버 +5~10%, LPDDR4X +15~20%. DDR5 현물가 $7.41(+3.1%). NAND도 3Q 상승세 유지
Inventory
서버 메모리 2017~18 투자분 교체사이클 진입으로 구매 수요 상향. HDD 리드타임 52주+ → eSSD 대체 가속. 공급업체 가동률 제한으로 재고 축적 제한적. 3Q25부터 NAND 성장 둔화 전망 존재
Tech Transitions
HBM4 2027년 본격 출하(루빈 GPU당 1TB), HBM 테스트 장비 국산화(테크윙 큐브프로버·유니테스트), 1c/1b DRAM 전환투자 본격화, 200단+ NAND 전환, 삼성 2nm 파운드리(Tesla AI6), 메모리 후공정 외주화 확대(TAM 15조, 현 외주 10%)
Key Events
["TrendForce 4Q25 DRAM 가격 전방위 상향 조정 (PC +3~8%, 서버 +5~10%, LPDDR4X +15~20%)", "VEU 지위 박탈 약 120일 유예 결정 — 삼성 시안(NAND 30%)·SK하이닉스 우시(DRAM 30%)·Solidigm 다롄(NAND 40%) 직접 영향", "SK하이닉스 DRAM 점유율 38.7% 역대 최고 — 삼성전자(32.7%) 추월 확인", "9월 삼성전자 +18.5%, SK하이닉스 +28.7% 월간 급등 후 차익실현 국면 진입", "테크윙 2번째 HBM 고객사 성능 퀄 테스트 통과(9월)", "흥국증권 '메모리 슈퍼사이클 진입' 제시 — 2026년 HBM 수요 45억GB(+73% YoY)", "트럼프 행정부 해외 반도체 1:1 미국 내 생산 비율 정책 검토(실효성 낮음 판단)"]
03

Dominant Signals

주요 시그널 11건 · signal_type별 색상 + impact tier 매핑.
투자 전환강도 · 강· 긍정
빅테크 AI Capex 지속 확대 — 절대 투자 규모 증액 확인
HBMSemicapOSAT_Packaging
시간 지평
단기빅테크 4사 합산 Capex $3,198억(2025F), AI 서버 시장 CAGR 34% 성장 지속
중기2026년 HBM 수요 45억GB(+73% YoY), CoWoS 1,050K 웨이퍼(+59%) 확대
장기Sovereign AI $323B + Non-Nvidia ASIC 다변화로 2026년 이후 수요 상향 여지
1등급명시· 긍정
HBM 2025F 수요 2배+ 증가의 직접 수혜. DRAM 점유율 38.7%로 삼성 추월, HBM3E 독보적 공급 지위. scale-up 형태 — 절대 투자 규모 증액으로 HBM·DDR5 고부가 수요 구조적 확대
2등급명시· 긍정
Capex 확대에 따른 1c DRAM·200단+ NAND 전환투자로 SiC Ring·ALD 장비 수요 구조적 증가. 티씨케이는 Kioxia 218단 SiC Ring 최초 적용
공급 과잉강도 · 강· 혼조
HBM 단기 수급 타이트 vs 중기 공급과잉 리스크
HBMOSAT_PackagingSemicap
시간 지평
단기2025년 HBM 수요 2배+ 증가·CoWoS 병목·테스트장비(어드반테스트) Capa 부족으로 타이트 유지
중기CY26 HBM 수요 45억GB vs 3사 생산능력 확대 — 삼성 HBM3E 주요 고객사 납품 개시(4Q25~)로 ASP 희석 리스크 대두
장기HBM4/HBM4E 전환 속도와 AI 추론 수요 확산이 수급 균형의 관건
1등급명시· 혼조
단기: HBM3E 독점적 공급으로 OPM 55~62% 유지. 중기: 삼성 HBM3E 납품 개시 시 ASP 일부 희석 + HBM4 점유율 60% 유지 여부 관건
2등급명시· 혼조
HBM3E 12단 엔비디아 승인 기대감으로 9월 +18.5% 급등. 4Q25 주요 고객사 납품 개시 시 HBM 매출 본격화이나, 시장 전체 ASP 하방 기여 가능
가격 변곡강도 · 강· 긍정
DRAM 가격 반등 확인 — TrendForce 4Q25 전방위 상향
Legacy_DRAMHBMNAND
시간 지평
단기DDR4 고정가 $1.90→$4.50(4→7월 +137%), 9월에도 현물가 강세 지속. TrendForce 4Q25 PC +3~8%, 서버 +5~10%, LPDDR4X +15~20% 상향
중기2026년 서버 교체사이클 + eSSD 대체 수요로 가격 상승 기조 유지 전망. 공급 가동률 70~80%로 제한적
장기
1등급명시· 긍정
DRAM 제조사 직접 수혜. 4Q25 고정가 전방위 상향으로 3Q~4Q 실적 추가 상향 조정 기대. SK하이닉스 2026E OP 43.5~58.3조 전망
2등급명시· 긍정
DRAM 가격 상승 → 가동률 상향 → 에천트·프리커서 소재 수요 연동. 솔브레인 2026E 매출 1.16조(+23%), 한솔케미칼 프리커서 +49%
수요 변곡강도 · 강· 긍정
레거시 메모리 업사이클 진입 기대 — 서버 교체·일반서버 수요 확대
Legacy_DRAMNANDSemicap
시간 지평
단기2017~18년 투자 서버 교체사이클 진입으로 메모리 구매 수요 상향. Nanya 8월 매출 43개월 최고치
중기2026E 일반서버 출하량 YoY +9%, AI 추론 수요 연산량 분배로 범용 DRAM·NAND 수요 구조적 확대
장기
1등급명시· 긍정
범용 DRAM·NAND 수요 회복으로 비HBM 매출 기저 상향. 삼성 NAND 2026F OP 3.3조(흑자전환), SK하이닉스 NAND OPM 10% 정상화 전망
2등급명시· 긍정
레거시 메모리 물량 증가 → 후공정 외주 물량 연동 증가. 2026E 매출 1.88조(+27%), OP 2,173억(+58%)
기술 전환강도 · 강· 긍정
HBM4·1c전환·후공정 외주화 — 구조적 전환 가속
HBMOSAT_PackagingSemicap
시간 지평
단기테크윙 2번째 고객사 성능 퀄 통과(9월), 유니테스트 HBM4 번인 테스트 성능 통과(8월) — 11월 양산 퀄 결과 가시화
중기HBM4 2026년 매출 $26.2B(HBM 내 39%), 테스트 장비 시장 CAGR 40%. 후공정 외주화 비중 10%→확대(TAM 15조)
장기HBM4E 2027년 본격 출하(루빈 GPU당 1TB), 메모리 후공정 완전 외주화 추세
1등급명시· 긍정
SK하이닉스 용인 클러스터 2Q27E 준공까지 클린룸 빠듯 → 자체 후공정 여력 제한이 오히려 외주 물량 증대 요인. SK하이닉스 성과급 6조원 현금 지출로 고정비 효율화 압박
2등급명시· 긍정
Kioxia 218단 양산에 SiC Ring 최초 적용, SK하이닉스 321단·삼성 V10 전환투자로 구조적 수요 증가
3등급명시· 긍정
1c/1b DRAM 전환 + V9 NAND 전환투자(1H26E 재가속) → 전공정 ALD·CVD 장비 수요 확대
실적 확인강도 · 강· 혼조
3Q25 메모리 실적 컨센서스 상회 + 삼성 파운드리 적자 지속
HBMLegacy_DRAMFoundry
시간 지평
단기삼성전자 3Q25 OP 9.9~10.0조(컨센 9.4조 상회), SK하이닉스 11.0조(컨센 10.6조 상회) — 메모리 업사이클 확인
중기2026 실적 추가 상향 기대: SK하이닉스 OP 43.5~58.3조, 삼성전자 OP 46.6~51.3조. 삼성 파운드리/LSI 2025F -8.5조 적자 지속, 2026F -5.9조 축소 전망이나 단기 해소 어려움
장기삼성 파운드리 Tesla AI6 양산(2027E) + Apple CIS 세컨벤더(2027E, 1조원+) — 흑자전환 시점 2027년 이후
1등급명시· 긍정
3Q25 OP 11.0조(컨센 상회), DRAM OPM 58~60%. 2026E OP 43.5~58.3조로 컨센 대폭 상회 전망. HBM OPM 55~62%
2등급명시· 혼조
메모리 3Q25 OP 개선(QoQ +101.5%)이나 파운드리/LSI 2025F -8.5조 적자 지속 + 파운드리 점유율 7.3%(역대 최저). HBM3E 12단 인증 지연이 결합되어 차별화 축소에도 불구 DS 비메모리 부문이 밸류에이션 할인 요인
정책·지정학강도 · 중· 혼조
VEU 박탈·관세·수출규제 — 지정학 리스크 고조
HBMLegacy_DRAMNANDFoundry
시간 지평
단기VEU 지위 박탈 약 120일 유예(~2026년 1월). 삼성 시안 NAND(Capa 30%), SK하이닉스 우시 DRAM(Capa 30%), Solidigm 다롄 NAND(Capa 40%) 직접 영향. 유예 기간 내 전환투자 앞당기기 불가피
중기트럼프 1:1 미국 내 생산 비율 정책 검토 — 미국 DRAM Capa 글로벌 1%(20K), 실효성 낮으나 불확실성 지속. Micron Idaho 1공장 2027H2 출하
장기TSMC 중국 장비 배제 → 국내 장비 반사수혜 가능성. 미중 수출규제 심화 시 수급 변동
1등급명시· 부정
시안 NAND 실효 Capa 비중 약 30% VEU 영향. V8 Migration 전환투자 일정 앞당기기 불가피. 한미 관세협상 최종 합의 지연도 부담
2등급명시· 부정
우시 DRAM 실효 Capa 비중 약 30% 중후반 VEU 영향. 1a DRAM 전환 일정 점검 필요
3등급추론· 긍정
TSMC의 중국 장비 배제에 따른 반사수혜 기대로 9월 +24% 급등. 다만 실적 기여 시점은 불확실
공급 과잉강도 · 중· 부정
NAND 공급과잉 지속 + CXMT DDR4 확대 리스크
NANDLegacy_DRAM
시간 지평
단기NAND 수익성 회복 더딤, 삼성·SK 모두 NAND OPM 저조. CXMT DDR4 생산 확대로 범용 DRAM 가격 하방 압력
중기CXMT DDR5·HBM3 수율 이슈로 고객 주문 축소 — 삼성·SK에 유리한 구조. 2026 NAND 공급(+18%) < 수요(+23%) 전환 기대
장기
1등급명시· 부정
NAND 수익성 회복 지연 + 시안 Capa VEU 리스크 결합. 다만 2026F NAND OP 3.3조 흑자전환 전망
2등급명시· 혼조
NAND OPM 6.2%(2025F) 저조이나 2026F 10%로 개선 전망. CXMT 수율 이슈로 고객 재배분 시 수혜 가능
재고 사이클강도 · 중· 긍정
HDD 리드타임 52주+ → eSSD 대체 가속
NAND
시간 지평
단기NL HDD 공급부족(리드타임 52주+)으로 하이퍼스케일러 eSSD 대안 채택 가속
중기eSSD Nearline 연간 5%p 점유율 확대 시 2026년 NAND 수요 +10% 추가 성장(전체 971EB 기준). 2026 공급 +18% < 수요 +23% → 가격 상승 전환
장기
1등급명시· 긍정
NAND 수요 +10% 추가 성장 가능. eSSD 수요 증가로 SSD 번인 테스트 물량도 확대. 삼성 NAND 2026F 흑자전환 촉매
센티 로테이션강도 · 중· 혼조
슈퍼사이클 기대 vs 차익실현·밸류에이션 부담
HBMLegacy_DRAMSemicap
시간 지평
단기흥국 '슈퍼사이클 진입' 제시, 전 증권사 비중확대. 9월 삼성 +18.5%, SK하이닉스 +28.7% 급등 후 10월 건전한 조정(가격·기간) 예상
중기추정이익 상승률 대비 주가 선반영 구간. 3Q25 실적 컨센 상회 확인이 밸류에이션 정당화 관건
장기
1등급명시· 혼조
9월 +28.7% 후 차익실현 압력. 신고가 경신 후 1주 -4.7%. PER 5.9~7.6배로 절대 밸류 저렴하나 단기 과열 부담
2등급명시· 혼조
9월 +18.5% 후 PBR 1.1~1.3배, PER 13.6~18.2배. 4Q25 비수기 + 파운드리 적자로 이익모멘텀 약화 구간 진입
수요 변곡강도 · 중· 부정
비AI 최종수요 약세 — PC·LCD·모바일AP 비수기 진입
Legacy_DRAMNAND
시간 지평
단기대만 IT 중 핸드셋 부품 -6.7%, 서버 -5.5%, LCD -3.4%(1M 수익률). PC·LCD·MCU 출하 둔화 불가피
중기AI PC 2025년 7,792만대(2배)→2026년 1.43억대(점유율 55%) 확대 시 PC 수요 구조 전환 가능
장기
1등급추론· 부정
MX 4Q25 비수기 진입 + Galaxy vs iPhone 17 경쟁. 스마트폰 출하 230.7백만대(2025F) 유지이나 비수기 이익 둔화
04

Emerging · Fading

새롭게 부상하는 시그널 vs 약해지는 우려.
▲ Emerging (4)
HBM4 테스트 장비 국산화 가시화
기술 전환
어드반테스트 HBM Capa 부족으로 국내 테스트 장비 업체 구조적 기회. 테크윙 2번째 고객사 퀄 통과, 유니테스트 11월 양산 퀄 결과 가시화 시 대규모 수주 기대
  • 유니테스트 11월 HBM4 양산 퀄 결과
  • 테크윙 3번째 고객사(마이크론) 수주 시점
  • HBM4 16단 테스트 장비 단가 상승폭
eSSD Nearline 침투 가속으로 NAND 수급 전환
재고 사이클
HDD 리드타임 1년으로 하이퍼스케일러 eSSD 전환 가속. 연간 5%p 점유율 확대 시 2026 NAND 수요 +10% 추가 — 공급(+18%) < 수요(+23%) 전환점
  • 3Q25 eSSD 출하량 데이터
  • 하이퍼스케일러 Nearline 전환 발주 확인
  • NAND 고정가 상승 지속 여부
삼성 파운드리 Tesla AI6·Apple CIS 수주 — 2027 흑자전환 가능성
실적 확인
삼성 파운드리 2nm Tesla AI6(연 $2.4B), Apple CIS 세컨벤더(2027년 1조원+), Exynos 2600 Galaxy S26 탑재 가능성. 실현 시 파운드리 적자 축소 및 DS 전체 수익성 개선
  • Tesla AI6 2nm 수율 확보 일정
  • Apple CIS 세컨벤더 최종 결정
  • 삼성 파운드리 2026F 적자 축소폭 (-8.5조→-5.9조 달성 여부)
환율 원/달러 1,400원대 고착화
정책·지정학
원/달러 2025F 1,402원 가정. 원화 약세 지속 시 수출 실적 환산이익 증가이나, 미국 투자 비용(TSMC GPM 2~4%p 희석) 부담 가중
  • 한미 관세협상 최종 합의 시점
  • 원/달러 환율 추이
  • 미국 팹 투자 수익성 변동
▼ Fading (3)
CXMT DDR5·HBM3 위협
CXMT의 서버 DDR5·HBM3 수율 이슈로 고객 주문 축소 확인. DDR4 생산 확대는 지속이나 첨단 메모리 추격은 둔화. 삼성·SK하이닉스에 유리한 구조 고착화
메모리 가격 하락 우려
TrendForce 4Q25 전방위 상향(PC +3~8%, 서버 +5~10%, LPDDR4X +15~20%)으로 1Q25 이후 가격 하락 시나리오 사실상 소멸. DDR4 고정가 7개월 연속 상승
트럼프 반도체 관세 즉각 부과 리스크
미국 내 DRAM Capa 1%(20K), NAND 2%(27K)로 1:1 생산 비율 정책 실효성 낮음. Micron Idaho 2027H2, 뉴욕 2030년 이후로 트럼프 임기 내 효과 없음
05

Macro Watch

산업 외부 리스크 · 거시 변수.
  • 원/달러 환율 1,400원대 고착화 — 수출 실적 환산이익 vs 미국 팹 투자 비용 부담
  • 한미 관세협상 최종 합의 시점 및 반도체 섹터 예외 확인
  • 빅테크 4Q25 Capex 가이던스 — AI 투자 속도 변화 시 HBM 수요 변동
06

Winners

수혜 종목 7건
HBM 독보적 공급 지위(점유율 38.7% 역대 최고), 3Q25 OP 11.0조(컨센 10.6조 상회), 2026E OP 43.5~58.3조(컨센 45조 대폭 상회). HBM4 점유율 60% 전망, NAND OPM 10% 정상화 기대. 단, HBM3E ASP 희석(삼성 납품 개시) 및 범용 DRAM CXMT 경쟁 리스크는 병존
· direct· conf high
흥국 소부장 Top Pick(목표 210,000원, 상승여력 29.9%). Kioxia 218단 SiC Ring 최초 적용, SK하이닉스 321단·삼성 V10 전환투자로 구조적 수요 증가. 3Q25 OP 238억(+22% QoQ), 2026E OP 1,153억(+24%)
· indirect_high· conf high
메리츠 Top Pick(목표 25,000원). 메모리 후공정 외주화 수혜 — TAM 15조, 현 외주 10~15%에서 추가 확대. SK하이닉스 용인 클러스터 2Q27E까지 클린룸 빠듯 + 성과급 6조원 현금 지출이 외주 확대 촉매. 2026E 매출 1.88조(+27%), OP 2,173억(+58%). 베트남 법인 2Q25 흑자전환
· direct· conf high
메리츠 Buy 신규(목표 330,000원). 에천트(80%)·프리커서(10%)·CMP 슬러리 반도체 소재 포트폴리오. 에스에프에스글로벌 연결 편입 + 2027년 Hf High-K 프리커서 특허 만료 성장 모멘텀. 2026E 매출 1.16조(+23%), OP 2,283억(+48%) 창사 최대 실적
· indirect_high· conf medium
메리츠 Buy 신규(목표 240,000원). 프리커서 2025E +49%, 2026E +30% 성장. 이차전지 바인더 +41%. 2024~2027E OP CAGR 23%. 12MF PER 12.8배로 역사적 평균(14.5배) 하회
· indirect_high· conf medium
메리츠 Buy 49,000원 + 하나 Buy 45,000원(2개 증권사). DRAM향 +12%, NAND향 +18% 성장. V9 전환투자 1H26E 재가속으로 NAND 소재 매출 상향 기대. 2026E OP 820억(+21%, OPM 22%)
· indirect_high· conf medium
흥국 BUY 360,000원(상승여력 30.7%) + 하나 BUY 282,000원. 삼성전자·Intel 파운드리 재진입 + 중국 선단 Capa 증설에 따른 원자현미경 수요 확대. 2026E OP 734억(+34%)
· indirect_high· conf medium
07

Losers

피해 종목 1건
파운드리/LSI 2025F -8.5조 적자 지속, 파운드리 점유율 7.3%(역대 최저). VEU 박탈로 시안 NAND(실효 Capa 30%) 전환투자 압박. 4Q25 비수기 진입 + MX·DX 계절적 약화. DS 비메모리 적자가 메모리 회복 효과를 상쇄하여 밸류에이션 할인 요인 지속
· conf medium
08

Beneficiary Chain

시그널 → 종목 연쇄 단계.
1
AI Capex 확대 → HBM·고부가 메모리 직접 공급
빅테크 4사 Capex $3,198억 → HBM·DDR5·eSSD 수요 견인. SK하이닉스 HBM 점유율 1위, 삼성전자 HBM3E 납품 개시로 양사 직접 수혜
2
메모리 업사이클 → 전공정 소재·장비 수혜
1c/1b DRAM 전환 + 200단+ NAND 전환투자 + 신규 fab(삼성 P4, SK M15X) 장비 반입 → 에천트·프리커서·SiC Ring·ALD 장비 수요 구조적 확대
3
후공정 외주화 확대 → OSAT 수혜
메모리 3사 현금 여력 부족(삼성 순부채 23조, SK 6.4조 + 성과급 6조) → 고정비 효율화를 위한 후공정 외주 확대. TAM 15조 중 외주 10%에서 추가 상향
09

Watchlist Candidates

추가 모니터링 후보.
HBM 테스트 핸들러 글로벌 점유율 70% + 큐브프로버 세계 유일 공급 — 2번째 고객사 퀄 통과, 3번째(마이크론) 내년 초
신한투자증권 Not Rated(목표가 미제시). 2026E OP 1,369억(+317.8%)로 성장 폭 대형이나 공식 투자의견 부재. PER 24배 정당화 여부 확인 필요
1c나노 DRAM 전환투자 수혜 — 하나 BUY 50,000원, 2026E OPM 41%. 전공정 세정·에싱 장비
단일 증권사(하나) 커버리지만 존재. 2026E PER 10.5배로 밸류 매력적이나 추가 증권사 추정치 부재
1c DRAM + 고단 NAND 전환투자 ALD·CVD 장비 수혜 — 하나 BUY 42,000원, 2026E OP 121.3억(+86%)
단일 증권사(하나) 커버리지. 2026E PER 13.6배이나 이번 기간 심층 분석 리포트 부재
HBM TC bonder 수요 — HBM4 16단 전환 시 bonder 수량 확대 기대
이번 기간(2025-09) 8건 리포트에서 직접 언급 없음. HBM 모멘텀 추정이나 구체적 실적·수주 데이터 미확인
TSMC의 중국 장비 배제에 따른 반사수혜 기대 — 9월 +24% 급등
대신증권 주간 데이터에서 주가 변동만 언급, 정식 투자의견·목표가 미제시. 기대감 선반영 여부 확인 필요. 피에스케이홀딩스(031980)와 별개 회사임에 주의
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참조 리포트 8건
  • 대신Tech Weekly-반도체, 실적 개선 vs 중국 이슈의 부담2025-09-01
  • 미래에셋8월 대만 IT 실적 리뷰: AI 인프라 Capex 주도, 서버·기판·후공정 비중 확대 유효2025-09-19
  • 흥국슈퍼사이클에 올라탈 때2025-09-23
  • 메리츠부족함의 파급효과2025-09-23
  • 하나반도체 및 소부장 Weekly: 실적 상향을 기다리며 비중확대2025-09-29
  • 대신Tech Weekly-다가오는 10월, 우리의 전략은 선택과 집중2025-09-29
  • 신한Rising Star2025-09-30
  • 현대차일본 반도체 / Snapdragon Summit2025-09-30